金融界2023年12月16日消息，据国家知识产权局公告，合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“一种浅沟槽隔离结构及其形成方法“，公开号CN117238839A，申请日期为2023年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其形成方法，属于半导体的制作工艺领域，浅沟槽隔离结构的形成方法包括：提供衬底，衬底中形成有浅沟槽，浅沟槽的侧壁和底壁覆盖有垫底氧化层；通过含有氢离子的干法刻蚀工艺刻蚀底壁处部分厚度的垫底氧化层，以在底壁表面引入含羟基的基团；采用高纵横比工艺在浅沟槽中填充氧化物层，含羟基的基团使得氧化物层在底壁处的填充速率较在侧壁处的填充速率快，通过含有氢离子的干法刻蚀工艺刻蚀底壁处部分厚度的垫底氧化层，以在底壁表面引入含羟基的基团，意想不到的效果是，加快底壁处氧化物层的填充速率，使得氧化物层在底壁处的填充速率较在侧壁处的填充速率快，以避免浅沟槽提前封口，从而改善产生空隙的情况。
来源：金融界